Щелочные лазеры на парах таких элементов как цезий или рубидий. Такие лазеры могут накачиваться полупроводниковыми лазерами. Энергетическая эффективность может быть достаточно высокой, такой, что квантовый дефект может быть мал для типичных схем накачки, где накачка из основного состояния использует передачу при помощи буферного газа (например, этана) в близлежащий верхний лазерный уровень. В то же время, качество пучка может быть намного выше, чем у источника накачки, так что такой лазер действует как эффективный конвертер яркости.
